FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS

저저항의 금속 질화막을 형성할 수 있는 기술을 제공한다. 본 개시의 일 양태에 따른 성막 방법은, 기판을 수용하는 처리 용기 내에 금속 함유 가스를 공급하는 제1 공정과, 상기 처리 용기 내에 퍼지 가스를 공급하는 제2 공정과, 상기 처리 용기 내에 질소 함유 가스를 공급하는 제3 공정과, 상기 처리 용기 내에 퍼지 가스를 공급하는 제4 공정을 소정 사이클 반복하여, 상기 기판 상에 금속 질화막을 형성하는 성막 방법이며, 상기 제4 공정은, 상기 제1 공정의 상기 금속 함유 가스의 유량 이상의 제1 유량의 제1 퍼지 가스를 공급하는 제1 스텝과, 상기 제1 유량보다 작은 제2 유량의 상기 제1 퍼지 가스를 공급하거나, 또는 상기 제1 퍼지 가스를 공급하지 않는 제2 스텝을 갖는다. A film-forming method for forming a metal nitride film on a substrate includes: forming the metal nitride film on the substrate by repeating a cycle a predetermined number of times, the cycle including: a first process of supplying a metal-containing gas into a process container configured to accommodate the substrate therein; a second process of supplying a purge gas into the process container; a third process of supplying a nitrogen-containing gas into the process container; and a fourth process of supplying the purge gas into the process container, wherein the fourth process includes: a first step of supplying a first purge gas having a first flow rate equal to or larger than a flow rate of the metal-containing gas of the first process; and a second step of supplying the first purge gas having a second flow rate smaller than the first flow rate.