강유전 메모리 셀 및 유전 메모리 셀을 포함하는 메모리를 위한 장치 및 방법

강유전 메모리 셀들 및 유전 메모리 셀들을 포함하는 메모리를 위한 장치들 및 방법들이 개시된다. 상기 장치는 상보적인 논리 값들을 나타내는 전하들을 저장하도록 구성된 제1 강유전 커패시터 및 제2 강유전 커패시터를 포함하는 제1 메모리 셀, 상보적인 논리 값들을 나타내는 전하들을 저장하도록 구성된 제1 유전 커패시터 및 제2 유전 커패시터를 포함하는 제2 메모리 셀, 상기 제1 메모리 셀의 상기 제1 강유전 커패시터에 그리고 상기 제2 메모리 셀의 상기 제1 유전 커패시터에 선택 가능하게 연결되는 제1 비트 라인, 상기 제1 메모리 셀의 상기 제2 강유전 커패시터에 그리고 상기 제2 메모리 셀의 상기 제2 유전 커패시터에 선택 가능하게 연결되는 제2 비트 라인, 및 상기 제1 비트 라인 및 상기 제2 비트 라인에 연결되는 감지 증폭기를 포함한다. Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells are disclosed. The apparatus includes a first memory cell including first and second ferroelectric capacitors configured to store charges representing complementary logical values, a second memory cell including first and second dielectric capacitors configured to store charges representing complementary logical values, a first bit line selectably coupled to the first ferroelectric capacitor of the first memory cell and to the first dielectric capacitor of the second memory cell, a second bit line selectably coupled to the second ferroelectric capacitor of the first memory cell and to the second dielectric capacitor of the second memory cell, and a sense amplifier coupled to the first and second bit lines.