DISPLAY DEVICE

Provided is a display device. The display device according to one embodiment of the present invention comprises: a first substrate; a gate line positioned on the first substrate and comprising a gate electrode; a gate insulating film positioned on the gate line; a semiconductor layer positioned on t...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: LIM JI HUN, MORITA SHINYA, TAO HIROAKI, LEE JE HUN, MIKI AYA, LEE KYOUNG WON, KIM GUN HEE, PARK SEI YONG, PARK JUN HYUN, GOTO HIROSHI, KUGIMIYA TOSHIHIRO, PARK JAE WOO, AHN BYUNG DU, KISHI TOMOYA
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:Provided is a display device. The display device according to one embodiment of the present invention comprises: a first substrate; a gate line positioned on the first substrate and comprising a gate electrode; a gate insulating film positioned on the gate line; a semiconductor layer positioned on the gate insulating film; a data line positioned on the semiconductor layer and connected to a source electrode; a drain electrode facing the source electrode on the semiconductor layer; and a protective film positioned on the data line, wherein the semiconductor layer is based on an oxide semiconductor comprising indium, tin, and zinc, the atomic percentage of the indium is 50 at% or less, and the ratio of the zinc to the tin is 1.38 or more and 3.88 or less. According to the present invention, provided can be a display device having excellent charge mobility and etching a metal wiring and an oxide semiconductor at the same time. 표시 장치를 제공한다. 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위에 위치하고, 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 게이트선 위에 위치하는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 위치하는 반도체층, 상기 반도체층 위에 위치하고, 소스 전극과 연결되어 있는 데이터선, 상기 반도체층 위에 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극, 상기 데이터선 위에 위치하는 보호막을 포함하고, 상기 반도체층은 인듐, 주석, 아연을 포함하는 산화물 반도체로 형성하며, 상기 인듐의 원자 백분율이 50at%이하이고, 상기 주석에 대한 상기 아연의 비율은 1.38이상 3.88이하이다.