METHOD OF REMOVING AN ETCH MASK

An embodiment method comprises the steps of: forming a patterned etch mask on a target layer; and patterning the target layer by using the patterned etch mask as a mask to form a patterned target layer. The method further comprises a step of performing a first cleaning process on the patterned etch mask and the patterned target layer, wherein the first cleaning process includes a first solution. The method additionally comprises a step of performing a second cleaning process to remove the patterned etch mask and form an exposed patterned target layer, wherein the second cleaning process includes a second solution. The method also comprises the steps of: performing a third cleaning process on the exposed patterned target layer; and performing a fourth cleaning process on the exposed patterned target layer, wherein the fourth cleaning process includes the first solution. 예시적인 방법은 타겟층 위에 패터닝된 에칭 마스크를 형성하는 단계 및 상기 패터닝된 에칭 마스크를 마스크로서 사용하여 상기 타겟층을 패터닝하여 패터닝된 타겟층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 패터닝된 에칭 마스크 및 상기 패터닝된 타겟층에 제1 클리닝 공정을 수행하는 단계 - 상기 제1 클리닝 공정은 제1 용액을 포함함 - 를 더 포함한다. 상기 방법은 상기 패터닝된 에칭 마스크를 제거하고 노출된 패터닝된 타겟층을 형성하도록 제2 클리닝 공정을 수행하는 단계 - 상기 제2 클리닝 공정은 제2 용액을 포함함 - 를 추가적으로 포함한다. 상기 방법은 또한 상기 노출된 패터닝된 타겟층에 제3 클리닝 공정을 수행하는 단계, 및 상기 노출된 패터닝된 타겟층에 제4 클리닝 공정을 수행하는 단계 - 상기 제4 클리닝 공정은 상기 제1 용액을 포함함 - 를 포함한다.