Multi-layered magnetic thin film stack and data storage device having the same

The present invention relates to a multilayer magnetic thin film stack and an electronic device. According to one embodiment of the present invention, the electronic device comprises: a tunneling barrier layer comprising a metal oxide layer as an information storage element; a magnetic fixing layer on a first surface of the tunneling barrier layer; and a magnetic tunneling junction comprising a magnetic free layer on a second surface opposite to the first surface of the tunneling barrier layer. At least one of the magnetic fixing layer and the magnetic free layer comprises an iron (Fe) layer having the first surface in contact with the metal oxide layer and a dual magnetic layer structure comprising a cobalt (Co) layer in contact with the second surface opposite to the first surface of the iron layer. Therefore, provided is the multilayer magnetic thin film stack with increased element reliability. 본 발명은 다층 자기 박막 스택 및 전자 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 정보 저장 요소로서 금속 산화물 층을 포함하는 터널링 장벽층, 상기 터널링 장벽층의 제 1 면 상의 자기 고정층, 및 상기 터널링 장벽층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 상의 자기 자유층을 포함하는 자기 터널링 접합을 포함하는 전자 장치이다. 상기 자기 고정층 및 상기 자기 자유층 중 적어도 하나는, 상기 금속 산화물층과 접하는 제 1 면을 갖는 철(Fe) 층; 및 상기 철층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에 접하는 코발트(Co) 층을 포함하는 이중 자성층 구조를 포함한다.