MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD
Disclosed is a memory device. The memory device comprises: a memory cell array including a target cell; a low decoder driving a word line; and a write driver and a sense amplifier driving a bit line and a source line. The low decoder drives the word line by first driving voltage during first program...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Zusammenfassung: | Disclosed is a memory device. The memory device comprises: a memory cell array including a target cell; a low decoder driving a word line; and a write driver and a sense amplifier driving a bit line and a source line. The low decoder drives the word line by first driving voltage during first program operation and second program operation. The write driver and the sense amplifier drive the bit line by second driving voltage or drive the source line by third driving voltage between the beginning of the first program operation and the ending of the second program operation. Accordingly, a write error rate can be significantly reduced by a programming method.
메모리 장치가 개시된다. 메모리 장치는, 타깃 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이, 워드 라인을 구동하는 로우 디코더, 비트 라인 및 소스 라인을 구동하는 쓰기 드라이버 및 센스 앰프를 포함한다. 로우 디코더는, 제 1 프로그램 동작과 제 2 프로그램 동작 시, 제 1 구동 전압으로 워드 라인을 구동한다. 쓰기 드라이버 및 센스 앰프는 제 1 프로그램 동작의 시작과 제 2 프로그램 동작의 종료 사이에서, 제 2 구동 전압으로 비트 라인을 구동하거나 또는 제 3 구동 전압으로 소스 라인을 구동한다. 이러한 프로그램 방법으로 쓰기 에러율을 현저히 감소시킬 수 있다. |
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