리피터 분석을 위한 높은 정확도의 상대적 결함 위치
웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 하나의 방법은, 웨이퍼 상에 인쇄되는 멀티 다이 레티클의 제1 인스턴스에서의 제1 다이에서의 제1 스와스에서의 제1 프레임에 대한 검사 서브시스템의 출력을, 웨이퍼 상에 인쇄되는 다른 레티클 인스턴스에서의 대응하는 프레임, 스와스, 및 다이에 대한 출력으로 정렬하는 것을 포함한다. 방법은 또한, 프레임 및 그에 정렬되는 대응하는 프레임에 대한 출력의 스와스 좌표에 기초하여 다른 레티클 인스턴스에서, 프레임의 각각에 대한 상이한 스와스 좌표 오프셋을 각각...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 하나의 방법은, 웨이퍼 상에 인쇄되는 멀티 다이 레티클의 제1 인스턴스에서의 제1 다이에서의 제1 스와스에서의 제1 프레임에 대한 검사 서브시스템의 출력을, 웨이퍼 상에 인쇄되는 다른 레티클 인스턴스에서의 대응하는 프레임, 스와스, 및 다이에 대한 출력으로 정렬하는 것을 포함한다. 방법은 또한, 프레임 및 그에 정렬되는 대응하는 프레임에 대한 출력의 스와스 좌표에 기초하여 다른 레티클 인스턴스에서, 프레임의 각각에 대한 상이한 스와스 좌표 오프셋을 각각 결정하는 것 및 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 하나를, 결함이 검출되는 다른 레티클 인스턴스에 기초하여 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표에 적용하고, 그에 의해, 결함에 대한 스와스 좌표를, 다른 레티클 인스턴스에서의 스와스 좌표로부터 제1 레티클 인스턴스로 변환하는 것을 포함한다.
Methods and systems for transforming positions of defects detected on a wafer are provided. One method includes aligning output of an inspection subsystem for a first frame in a first swath in a firstdie in a first instance of a multi-die reticle printed on the wafer to the output for corresponding frames, swaths, and dies in other reticle instances printed on the wafer. The method also includesdetermining different swath coordinate offsets for each of the frames, respectively, in the other reticle instances based on the swath coordinates of the output for the frames and the corresponding frames aligned thereto and applying one of the different swath coordinate offsets to the swath coordinates reported for the defects based on the other reticle instances in which they are detected thereby transforming the swath coordinates for the defects from swath coordinates in the other reticle instances to the first reticle instance. |
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