ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

According to the present invention, provided are an etching method which can chemically etch a material on a substrate at a high selectivity ratio without etching hindrance due to a reaction product and an etching device. The etching method comprises: a process for preparing a substrate in a chamber, wherein the substrate has a silicon oxide-based material and a different material, the silicon oxide-based material has an etching target part, and the etching target part has a width less than or equal to 10 nm and an aspect ratio more than or equal to 10; and a process for supplying HF gas and OH containing gas to the substrate to selectively etch the etching target part with respect to the different material. 본 발명은, 반응 생성물에 의한 에칭 저해가 발생하지 않고 고선택비로, 기판 상의 재료를 화학적으로 에칭할 수 있는 에칭 방법 및 에칭 장치를 제공한다. 에칭 방법은, 챔버 내에 기판을 마련하는 공정이며, 그 기판은, 실리콘 산화물계 재료와 다른 재료를 갖고, 실리콘 산화물계 재료는, 에칭 대상 부위를 갖고, 에칭 대상 부위는, 10nm 이하의 폭을 가짐과 함께, 10 이상의 애스펙트비를 갖는 공정과, HF 가스 및 OH 함유 가스를 기판에 공급하여, 다른 재료에 대하여 에칭 대상 부위를 선택적으로 에칭하는 공정을 갖는다.