광학 검사 결과들로부터 형성한 계측 가이드 검사 샘플

계측 툴로부터의 정보는 스캐닝 전자 현미경을 이용한 검사 또는 리뷰 중에 사용될 수 있다. 웨이퍼의 계측 측정값은 필드에 걸쳐 내삽되고/내삽되거나 외삽되어, 수정된 계측 데이터를 생성한다. 수정된 계측 데이터는 웨이퍼의 검사 측정값으로부터의 결함 속성과 관련되어 있다. 결함 속성 및 수정된 계측 데이터를 기반으로 웨이퍼 리뷰 샘플링 플랜이 생성된다. 웨이퍼 리뷰 샘플링 플랜은 주사 전자 현미경을 이용한 웨이퍼의 리뷰 동안에 사용될 수 있다. Information from metrology tools can be used during...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MANI ANTONIO, SAH KAUSHIK, CROSS ANDREW JAMES
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBEMICROSCOPY [SPM] BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MEASURING PHYSICS SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	계측 툴로부터의 정보는 스캐닝 전자 현미경을 이용한 검사 또는 리뷰 중에 사용될 수 있다. 웨이퍼의 계측 측정값은 필드에 걸쳐 내삽되고/내삽되거나 외삽되어, 수정된 계측 데이터를 생성한다. 수정된 계측 데이터는 웨이퍼의 검사 측정값으로부터의 결함 속성과 관련되어 있다. 결함 속성 및 수정된 계측 데이터를 기반으로 웨이퍼 리뷰 샘플링 플랜이 생성된다. 웨이퍼 리뷰 샘플링 플랜은 주사 전자 현미경을 이용한 웨이퍼의 리뷰 동안에 사용될 수 있다. Information from metrology tools can be used during inspection or review with a scanning electron microscope. Metrology measurements of a wafer are interpolated and/or extrapolated over a field, which creates modified metrology data. The modified metrology data is associated with defect attributes from inspection measurements of a wafer. A wafer review sampling plan is generated based on the defect attributes and the modified metrology data. The wafer review sampling plan can be used during review of a wafer using the scanning electron microscope.