Method and Apparatus for treating substrate

According to an embodiment of the present invention, provided are a substrate treatment method and an apparatus thereof. The substrate treatment apparatus includes: a process chamber having an internal treatment space; a support unit supporting a substrate in the treatment space; and a gas supply un...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: MOON HYUNGCHUL
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:According to an embodiment of the present invention, provided are a substrate treatment method and an apparatus thereof. The substrate treatment apparatus includes: a process chamber having an internal treatment space; a support unit supporting a substrate in the treatment space; and a gas supply unit supplying process gas to the treatment space. The support unit includes: a support plate in which the substrate is placed; a plurality of lift pins inserted into pin holes of the support plate, respectively; and a plurality of elevation members combined with each of the lift pins to adjust the height of each of the lift pins independently. According to an embodiment of the present invention, the lift pins have start and end points at the height of each of the lift pins, which are individually controlled by each of the elevation members. In this way, the lift pins have different heights to prevent a substrate from sagging. According to an embodiment of the present invention, in regard to the vertical movement of a lift pin, position accuracy and repetition precision can be increased and the height of a lift pin can be easily adjusted. According to an embodiment of the present invention, since a substrate is elevated at a low speed, scratches on the lower part of the substrate can be prevented. 본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 방법 및 장치를 제공한다. 기판 처리 장치에 있어서, 내부에 처리 공간을 가지는 공정챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 상기 기판이 놓이는 지지판과; 상기 지지판에 형성된 핀홀들에 각각 삽입되는 복수의 리프트 핀과; 각각의 상기 리프트 핀에 결합되어, 각각의 상기 리프트 핀의 높이를 독립적으로 조절하는 복수의 승강부재를 가질 수 있다. 본 발명의 실시예에 의하면, 각 리프트 핀은 각각의 승강 부재에 의해 리프트 핀 높이의 시작점과 종료점이 개별 제어된다. 이에 각 리프트 핀의 높이가 달라 기판의 처짐 현상을 방지할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 의하면 리프트 핀의 상하 이동에 있어서 위치 정밀도, 반복 정밀도를 향상시키고, 리프트 핀의 높이 조정 용이하게 할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 의하면 기판의 승강이 저속으로 이루어짐으로써, 기판의 하부에 긁힘 현상이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.