Method and Apparatus for treating substrate

According to an embodiment of the present invention, provided is a substrate treatment apparatus. The substrate treatment apparatus includes: a process chamber having an internal treatment space; a support unit supporting a substrate in the treatment space; a gas supply unit supplying process gas to the treatment space; and a plasma source generating plasma from the process gas. The gas supply unit includes: side nozzles installed on a lateral side of the process chamber, and arranged to form a ring by being combined; a gas supply line supplying gas to the side nozzles; and a flowrate control member controlling the flowrate of the gas supplied to the side nozzles. The gas supply line includes: one main line connected to a gas supply source; and branch lines branched sequentially from the main line a number of times to be connected to each of the side nozzles. According to the present invention, since the flowrate of the gas supplied to the branch lines is controlled, the process gas can be uniformly supplied to the process chamber. Moreover, according to the present invention, nozzles are divided into a plurality of groups and the flowrate of process gas for each of the groups is controlled, so a process change can be easily handled. 본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치에 있어서, 내부에 처리 공간을 가지는 공정챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 공정 챔버의 측벽에 설치되며, 서로 조합되어 링을 이루는 배열로 제공되는 사이드 노즐들과; 상기 사이드 노즐들로 가스를 공급하는 가스 공급 라인과; 상기 사이드 노즐로 공급되는 가스의 유량을 제어하는 유량 조절 부재를 포함하되, 상기 가스 공급 라인은 가스 공급원과 연결되는 하나의 메인 라인과; 상기 메인 라인으로부터 복수 회 순차적으로 분기되어 각각의 상기 사이드 노즐과 연결되는 분기 라인을 포함할 수 있다. 본 발명은 분기라인으로 공급되는 가스의 유량을 조절하여 공정 챔버에 공정 가스를 균일하게 공급할 수 있다. 또한, 본 발명은, 노즐을 복수개의 그룹으로 나누어, 상기 그룹마다 공정 가스의 유량을 제어함으로써, 공정 변화에 용이하게 대응할 수 있다.