SOT MRAM AND METHOD TO WRITE DATA THEREFOR

According to one embodiment of the present application, provided is a semiconductor device, which comprises: a line driving unit connected to a memory cell array; a switching unit including first and second output terminals electrically connected to the memory cell array through a plurality of bit lines and a plurality of source lines; and a power supply unit outputting a precharge voltage and a source voltage to the first and second output terminals. The power supply unit includes a negative voltage generation portion, which charges a first voltage by conducting charge sharing of the precharge voltage, and generates a negative voltage on the other side as the first voltage is discharged to one side. 본 출원의 일 실시예에 따르는 반도체 장치는, 메모리 셀 어레이와 연결된 라인구동부, 상기 메모리 셀 어레이에 복수의 비트라인들과 복수의 소스라인들을 통해 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 출력단을 포함하는 스위칭부 및 상기 제1 및 제2 출력단에 프리차지전압과 소스전압을 출력하는 전원공급부를 포함하고, 상기 전원공급부는, 상기 프리차지전압을 전하공유(Charge Sharing)하여 제1 전압을 충전하고, 상기 제1 전압을 일측으로 방전함에 따라 타측에 음전압을 생성하는 음전압생성부를 포함한다.