SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
A semiconductor device comprises: a laminate; a source connection structure penetrating the laminate; n first channel columns positioned on one side of the source connection structure and including channel patterns; and n+k second channel columns positioned on the other side of the source connection...
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| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
| Schlagworte: | |
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| Zusammenfassung: | A semiconductor device comprises: a laminate; a source connection structure penetrating the laminate; n first channel columns positioned on one side of the source connection structure and including channel patterns; and n+k second channel columns positioned on the other side of the source connection structure and including channel patterns or dummy channel patterns, wherein n and k may be integers of 1 or more. It is possible to easily manufacture a semiconductor device with a stable structure and improved characteristics.
반도체 장치는 적층물; 상기 적층물을 관통하는 소스 연결 구조; 상기 소스 연결 구조의 일측에 위치되고, 채널 패턴들을 포함하는 n개의 제1 채널 열들; 및 상기 소스 연결 구조의 타측에 위치되고, 채널 패턴들 또는 더미 채널 패턴들을 포함하는 n+k개의 제2 채널 열들을 포함하고, 상기 n, k는 1 이상의 정수일 수 있다. |
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