레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법

평탄성이 우수함과 함께 용매 내성, 내열성 및 에칭 내성이 우수한 레지스트 하층막을 형성할 수 있는 레지스트 하층막 형성용 조성물의 제공을 목적으로 한다. 본 발명은, 하기 식 (1)로 표시되는 부분 구조를 갖는 화합물과, 용매를 함유하는 레지스트 하층막 형성용 조성물이다. 하기 식 (1) 중, X는, 하기 식 (i), (ii), (iii) 또는 (iv)로 표시되는 기이다. 하기 식 (i) 중, R및 R는, 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1 내지 20의 1가의 지방족 탄화수소기 또는 치환 혹은 비치환된 탄소수 7 내지 20의 아르알킬기이거나, 또는 R과 R가 서로 합쳐져 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 구성되는 환원수 3 내지 20의 환 구조의 일부를 나타낸다. 단, R및 R가, 수소 원자, 히드록시기 또는 이들의 조합인 경우를 제외한다. A composition for resist underlayer film formation contains: a compound having a partial structure represented by the following formula (1); and a solvent. In the formula (1): X represents a group represented by formula (i), (ii), (iii) or (iv). In the formula (i): R1 and R2 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms provided that at least one of R1 and R2 represents the substituted or unsubstituted monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms or the substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms; or R1 and R2 taken together represent a part of a ring structure having 3 to 20 ring atoms together with the carbon atom to which R1 and R2 bond.