METHOD AND APPARATUS FOR LIQUID TREATMENT OF WAFER SHAPED ARTICLES

웨이퍼-형상 물품을 처리하기 위한 방법 및 장치에 있어서, 스핀 척은 미리 결정된 방향으로 웨이퍼-형상 물품을 홀드하기 위해 제공되고, 여기서 웨이퍼-형상 물품의 하부 표면은 스핀 척의 상부 표면으로부터 미리 결정된 거리만큼 떨어진다. 적어도 하나의 적외선 히터를 포함하는 가열 어셈블리는, 스핀 척 상에 장착되는 경우, 스핀 척의 상부 표면 위로 그리고 웨이퍼-형상 물품 아래로 장착된다. 가열 어셈블리는 스핀 척의 회전에 대하여 정지되어 있다. In an apparatus and method for treating a wafer-s...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	HOHENWARTER KARL HEINZ, LACH OTTO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	웨이퍼-형상 물품을 처리하기 위한 방법 및 장치에 있어서, 스핀 척은 미리 결정된 방향으로 웨이퍼-형상 물품을 홀드하기 위해 제공되고, 여기서 웨이퍼-형상 물품의 하부 표면은 스핀 척의 상부 표면으로부터 미리 결정된 거리만큼 떨어진다. 적어도 하나의 적외선 히터를 포함하는 가열 어셈블리는, 스핀 척 상에 장착되는 경우, 스핀 척의 상부 표면 위로 그리고 웨이퍼-형상 물품 아래로 장착된다. 가열 어셈블리는 스핀 척의 회전에 대하여 정지되어 있다. In an apparatus and method for treating a wafer-shaped article, a spin chuck is provided for holding a wafer-shaped article in a predetermined orientation wherein a lower surface of the wafer-shaped article is spaced a predetermined distance from an upper surface of the spin chuck. A heating assembly comprising at least one infrared heater is mounted above the upper surface of the spin chuck and below a wafer-shaped article when mounted on the spin chuck. The heating assembly is stationary in relation to rotation of the spin chuck.