Substrate processing apparatus

The present invention relates to a substrate processing apparatus and, more specifically, to a substrate processing apparatus capable of processing a substrate with plasma. The disclosed substrate processing apparatus includes: a process chamber (100) including a chamber body (110) with an open upper part, and an upper lid (120) combined with the chamber body (110) to form a sealed processing space (S) and electrically earthed; a substrate support part (130) installed in the process chamber (100) to receive at least one RF power source, and supporting a tray (20) in which at least one substrate (10) is placed; a gas spray part (140) installed in the upper part of the processing space (S) to spray gas for processing the substrate; an elevation plate part (150) installed to be able to be moved between the substrate support part (130) and the gas spray part (140), and including a plurality of opening parts (152) through which the gas sprayed by the gas spray part (140) goes; a vertical movement part (200) installed in the upper part of the process chamber (100) to move the elevation plate part (150) up and down; and at least one current carrying member (160) electrically connecting the elevation plate part (150) and the upper lid (120). 본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명은 상측이 개구된 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)에 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 전기적으로 접지되는 상부리드(120)를 포함하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 하나 이상의 RF전원이 인가되며 하나 이상의 기판(10)이 안착된 트레이(20)를 지지하는 기판지지부(130)와; 상기 처리공간(S)의 상측에 설치되어 기판처리의 수행을 위한 가스를 분사하는 가스분사부(140)와; 상기 기판지지부(130)와 상기 가스분사부(140) 사이에서 상하 이동가능하게 설치되며 상기 가스분사부(140)에 의하여 분사되는 가스가 통과되는 다수의 개구부(152)들이 형성되는 승강플레이트부(150)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 승강플레이트부(150)를 상하로 이동시키는 상하이동부(200)와; 상기 승강플레이트부(150) 및 상기 상부리드(120)를 전기적으로 연결시키는 하나 이상의 통전부재(160)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.