SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF FILM FORMATION APPARATUS MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC COMPONENT

The present invention is to provide a technique capable of efficiently performing surface treatment on the surface of a substrate. A substrate processing apparatus includes: a support means for supporting a substrate; a first ion source and a second ion source disposed in a positional relationship like sandwiching the substrate; one substrate supported by the support means or two substrates on which opposite surfaces of the individual processing surfaces face each other to be supported by the support means; and a control means for controlling the irradiation of the ion beams from first and second ion sources with regard to the processing surfaces on both sides of the one substrate or each of the processing surfaces of the two substrates while moving the first and second ion sources relatively in a first direction along the surface of the substrate. [과제] 기판의 면에 대한 표면 처리를 효율적으로 행할 수 있는 기술을 제공한다. [해결 수단] 기판 처리 장치가, 기판을 지지하는 지지 수단과, 상기 기판을 사이에 끼우는 것과 같은 위치 관계로 배치된 제1 이온 소스 및 제2 이온 소스와, 상기 지지 수단에 의해 지지된 1매의 기판 또는 상기 지지 수단에 의해 각각의 처리면의 반대면끼리가 대향하여 지지된 2매의 기판과, 상기 제1및 제2 이온 소스를, 기판의 면을 따른 제1 방향으로 상대적으로 이동시키면서, 상기 1매의 기판의 양측의 처리면 또는 상기 2매의 기판의 각각의 상기 처리면에 대해, 상기 제1및 제2 이온 소스로부터 이온 빔을 조사하는 제어를 행하는 제어 수단을 구비한다.