Semiconductor device and method for fabricating the same

The present invention provides a semiconductor device. According to the present invention, the semiconductor device comprises: a lower substrate layer; a buried insulating layer on the lower substrate layer; a substrate comprising an upper substrate layer on the buried insulating layer; a first trench formed in a portion of the lower substrate layer, the buried insulating layer, and the upper substrate layer; a second trench spaced apart from the first trench and formed in a portion of the lower substrate layer, the buried insulating layer, and the upper substrate layer; and a field insulating film for filling a portion of the first trench and a portion of the second trench. A first fin-shaped pattern is defined by the first trench and the second trench and an upper surface of the field insulating film is higher than the upper surface of the buried insulating layer. 반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는, 하부 기판층과, 하부 기판층 상의 매립 절연층과, 매립 절연층 상의 상부 기판층을 포함하는 기판, 하부 기판층의 일부, 매립 절연층 및 상부 기판층 내에 형성되는 제1 트렌치, 제1 트렌치와 이격되고, 하부 기판층의 일부, 매립 절연층 및 상부 기판층 내에 형성되는 제2 트렌치 및 제1 트렌치의 일부 및 제2 트렌치의 일부를 채우는 필드 절연막을 포함하고, 제1 트렌치 및 제2 트렌치에 의해 제1 핀형 패턴이 정의되고, 필드 절연막의 상면은 상기 매립 절연층의 상면보다 높다.