CLEANING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS

The present invention provides a cleaning method which can suppress degradation in productivity caused by performing a cleaning process on a film forming apparatus. According to an embodiment of the present invention, the cleaning method of a film forming apparatus is performed after performing a film forming process of forming a film of a reaction product on a substrate by supplying material gas and reaction gas reacting with the material gas to produce a reaction product into a process vessel of a film forming apparatus. The cleaning method controls a first film settled in the process vessel and a second film settled in a material gas supply unit for supplying the material gas into the process vessel to become different types of films in the film forming process, performs a cleaning process of etching and removing the second film settled in the material gas supply unit by supplying cleaning gas with an etching selection ratio of the second film to the first film larger than 1 from the material gas supply unit into the process vessel after the film forming process, and performs a surface control process of allowing a surface state of the first film settled in the process vessel to approach a state before the cleaning process after the cleaning process. 본 발명은, 성막 장치에 대하여 클리닝 처리를 실시함으로 인한 생산성의 저하를 억제할 수 있는 클리닝 방법을 제공하는 것이다. 일 실시 형태의 클리닝 방법은, 성막 장치의 처리 용기 내에 원료 가스와 상기 원료 가스와 반응해서 반응 생성물을 생성 가능한 반응 가스를 공급해서 기판에 반응 생성물의 막을 형성하는 성막 처리를 행한 후에 실시하는 성막 장치의 클리닝 방법이며, 상기 성막 처리에 있어서, 상기 처리 용기 내에 퇴적되는 제1 막과 상기 처리 용기 내에 상기 원료 가스를 공급하는 원료 가스 공급부 내에 퇴적되는 제2 막이 이종의 막으로 되도록 제어하고, 상기 성막 처리 후, 상기 처리 용기 내에 상기 원료 가스 공급부로부터 상기 제1 막에 대한 상기 제2 막의 에칭 선택비가 1보다 큰 클리닝 가스를 공급하여, 상기 원료 가스 공급부 내에 퇴적된 상기 제2 막을 에칭해서 제거하는 클리닝 처리를 실시하고, 상기 클리닝 처리 후, 상기 처리 용기 내에 퇴적된 상기 제1 막의 표면 상태를, 상기 클리닝 처리 전의 상태에 근접시키는 표면 제어 처리를 실시한다.