Memory Device Having Channel Structure

According to the present invention, a memory device comprises: a lower stacked structure formed on a substrate and including a first source layer and a second source layer disposed below the first source layer; an upper stacked structure disposed on the lower stacked structure; and a channel structure penetrating the upper stacked structure and the first source layer and having a channel pattern extending in a lower direction and an information storage pattern outside the channel pattern. The second source layer may be formed under the information storage pattern to contact the channel pattern, and the second source layer may include a protrusion portion extending upward, and a channel passivation layer covering at least a portion of the protrusion portion. 메모리 장치는 기판 상에 형성되며 제1 소스막 및 상기 제1 소스막 하부에 배치되는 제2 소스막을 포함하는 하부 적층 구조, 상기 하부 적층 구조 상에 배치되는 상부 적층 구조 및 상기 상부 적층 구조 및 상기 제1 소스막을 관통하며, 하부방향으로 연장되는 채널 패턴 및 상기 채널 패턴의 외측에 정보 저장 패턴을 구비하는 채널 구조체를 포함한다. 상기 제2 소스막은 상기 정보 저장 패턴의 하부에 형성되어 상기 채널 패턴과 접촉하고, 상기 제2 소스막은 상부방향으로 연장되는 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부의 적어도 일부를 덮는 채널 보호막을 포함한다.