가교 구조의 이온화 방사선 변환기 및 이의 제조 방법

본 발명은 동위원소 공급원의 이온화 방사선을 전기로 변환시키는 에너지 변환기에 관한 것이다 (EMF). 이러한 공급원은 단위 부피 당 에너지가 훨씬 더 커 축전기 및 배터리와 다르나 단위 시간당 낮은 방출 전력을 가진다. 이러한 공급원은 경량이고 크기가 작으면서도 태양 복사의 부재 하에 고출력 배터리 또는 축전기의 직접 충전을 제공할 수 있다. 동위 원소 변환기 수명은 조사 물질의 반감기에 의해 결정된다.Ni의 경우 수명은 약 100년이다. 본 발명의 목적은 이온화 방사선 변환기의 비출력 전력의 증가, 본 기술의 단순화 및 비용 절...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: DIDENKO SERGEJ IVANOVICH, LEGOTIN SERGEJ ALEKSANDROVICH, KUZ'MINA KSENIYA ANDREEVNA, SINEVA MARIYA VLADIMIROVNA, MURASHEV VIKTOR NIKOLAEVICH, KRASNOV ANDREJ ANDREEVICH
Format: Patent
Sprache:kor
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 동위원소 공급원의 이온화 방사선을 전기로 변환시키는 에너지 변환기에 관한 것이다 (EMF). 이러한 공급원은 단위 부피 당 에너지가 훨씬 더 커 축전기 및 배터리와 다르나 단위 시간당 낮은 방출 전력을 가진다. 이러한 공급원은 경량이고 크기가 작으면서도 태양 복사의 부재 하에 고출력 배터리 또는 축전기의 직접 충전을 제공할 수 있다. 동위 원소 변환기 수명은 조사 물질의 반감기에 의해 결정된다.Ni의 경우 수명은 약 100년이다. 본 발명의 목적은 이온화 방사선 변환기의 비출력 전력의 증가, 본 기술의 단순화 및 비용 절감이다. 이러한 목표는 특정 베타 방사선 변환기 구성을 사용하여 달성되며 동위원소 방출 표면의 최대 면적을 제공할 수 있는 이 생산 기술은 고품질 평면 수평 p-n 접합의 최소 면적으로 실현된다. The invention relates to energy converters transforming ionizing radiation of isotope sources into electricity (EMF). These sources differ from capacitors and batteries by far greater energy per unit volume but have low emitted power per time unit. These sources are capable to provide direct charging of high-power batteries or capacitors in the absence of solar radiation while having low weight and small dimensions. The isotope converters life time is determined by the half-decay period of the irradiating material. For 63Ni the lifetime is about 100 years. The aims of this invention are increasing the specific output power of ionizing radiation converters, simplification and cost reduction of their technology. These aims are achieved by using a specific the beta radiation converter construction and its production technology in which provide the maximum area of the isotope emitting surface is realized with the minimum area of the high-quality planar horizontal p-n junction. These advantages permit to the minimize dark current and hence increase the open-circuit voltage and power dencity of the converters.