상관 전자 물질(CEM)로부터 장치를 형성하기 위한 방법 및 과정

본 기술은 일반적으로, 예를 들어 명시된 용도 성능 변수를 수행하기 위해 사용된 상관 전자 물질의 제작에 관한 것이다. 구체예에서, 프론트-엔드-오브-라인 단계와 같은, 웨이퍼 제작 과정의 제1 단계에서 제작된 CEM 장치는, 예를 들어 미들-오브-라인 단계 또는 백-엔드-오브-라인 단계와 같은, 웨이퍼 제작 과정의 제2 단계에서 제작된 CEM 장치와 상이할 수 있다. Subject matter disclosed herein may relate to fabrication of correlated electron materials used, for example, to perform specified application performance parameters. In embodiments, CEM devices fabricated at a first stage of a wafer fabrication process, such as a front-end-of-line stage, may differ from CEM devices fabricated at a second stage of a wafer fabrication process, such as a middle-of-line stage or a back-end-of-line stage, for example.