인광성 PtAg₂ 착물, 이의 제조 방법 및 이의 용도
본 발명은 라세미화 구조를 갖는 이온형 인광성 금속 착물, 이의 제조 방법 및 이의 용도에 관한 것이다. 착물의 구조는 [PtAg{rac-(PPhCHPPhCH-)}(C≡CR)(PR')]A또는 [PtAg{meso-(PPhCHPPhCH-)}(C≡CR)(PR')(μ-X)]A이고, 여기서 R은 동일하거나 상이하고 알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 헤테로아릴 아릴로부터 독립적으로 선택되고; R'는 동일하거나 상이하고 알킬, 아릴 및 헤테로아릴로부터 독립적으로 선택되고; 알킬, 아릴 및 헤테로아릴은 알킬, 알케닐, 알키...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 본 발명은 라세미화 구조를 갖는 이온형 인광성 금속 착물, 이의 제조 방법 및 이의 용도에 관한 것이다. 착물의 구조는 [PtAg{rac-(PPhCHPPhCH-)}(C≡CR)(PR')]A또는 [PtAg{meso-(PPhCHPPhCH-)}(C≡CR)(PR')(μ-X)]A이고, 여기서 R은 동일하거나 상이하고 알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 헤테로아릴 아릴로부터 독립적으로 선택되고; R'는 동일하거나 상이하고 알킬, 아릴 및 헤테로아릴로부터 독립적으로 선택되고; 알킬, 아릴 및 헤테로아릴은 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 아미노, 할로겐, 할로겐화 알킬, 및 아릴로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 치환될 수 있고; X는 할로겐이고; A및 A는 1가 또는 2가의 음이온이고, m 또는 n은 1 또는 2이다. 본 발명은 또한 유기 발광 다이오드, 이의 제조 방법 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 인광성 금속 착물을 발광층 도펀트로 취함으로써 제조된 유기 발광 다이오드는 고성능 유기 전계 발광을 가지며 패널 디스플레이에 적용될 수 있다.
The present invention relates to an ionic type phosphorescent metal complex with a racemization structure, a preparation method therefor and a use thereof. The structure of the complex is [PtAg{rac-(PPhCHPPhCH-)(C≡CR)(PR')]Aor [PtAg{meso-(PPhCHPPhCH-)}(C≡CR)(PR')(µ-X)]A, wherein R is the same or different and is independently selected from alkyl, aryl, heteroaryl, and heteroaryl aryl; R' is the same or different and is independently selected from alkyl, aryl, and heteroaryl; the alkyl, aryl, and heteroaryl can be substituted by one or more substituents which are selected from alkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy, amino, halogen, halogenated alkyl, and aryl; X is halogen; Aand Aare monovalent or bivalent anions; and m or n is 1 or 2. The present invention also relates to an organic light emitting diode, a preparation method therefor and use thereof. The organic light emitting diode prepared by taking the phosphorescent metal complex of the present invention as a luminous layer dopant has high-performance organic electroluminescence and can be applied to panel display. |
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