IMAGE SENSOR INCLUDING ORGANIC PHOTOELECTRONIC LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

An image sensor includes a substrate which includes a plurality of pixel regions, and has photoelectric conversion elements and storage node regions spaced apart from the photoelectric conversion elements in the plurality of pixel regions; lower contact vias formed between the photoelectric conversion elements in the plurality of pixel regions; first insulating layers formed on the lower contact vias and having openings; upper contact vias electrically connected to the lower contact vias and protruding above and below the first insulating layers through the first insulating layers; second insulating layers formed in the openings and surrounding the first insulating layers and the upper contact vias; color filters formed on the second insulating layers and filling the openings; a protection layer covering the color filters and exposing the upper surfaces of the upper contact vias; a first transparent electrode formed on the protection layer and in contact with the upper contact vias; an organic photoelectric layer formed on the first transparent electrode; and a second transparent electrode formed on the organic photoelectric layer. 이미지 센서는 복수의 화소 영역을 포함하고, 상기 복수의 화소 영역에 광전 변환 소자와 상기 광전 변환 소자와 이격되어 형성되는 스토리지 노드 영역이 형성되는 기판; 상기 복수의 화소 영역에서 상기 광전 변환 소자 사이에 형성되는 하부 콘택 비아; 상기 하부 콘택 비아 상에 형성되고, 개구부를 가지는 제1 절연층; 상기 하부 콘택 비아와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 절연층을 관통하여 상기 제1 절연층의 상부 및 하부로 돌출되는 상부 콘택 비아; 상기 개구부 내에 형성되며, 상기 제1 절연층과 상기 상부 콘택 비아를 둘러싸는 제2 절연층; 상기 제2 절연층 상에 형성되며, 상기 개구부를 채우는 컬러 필터; 상기 컬러 필터를 덮고, 상기 상부 콘택 비아의 상면을 노출하는 보호막; 상기 보호막 상에 형성되며, 상기 상부 콘택 비아와 접하는 제1 투명 전극; 상기 제1 투명 전극 상에 형성되는 유기 광전층; 및 상기 유기 광전층 상에 형성되는 제2 투명전극을 포함할 수 있다.