Light emitting device and light emitting device package

According to one embodiment of the present invention, a light emitting device comprises: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a light emitting layer, and a second conductive semiconductor layer; a dummy structure disposed along a circumference of the light emitting structure and including a non-light emitting layer and a second dummy layer; a first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer; a first connection electrode extending from the first electrode and vertically overlapping the dummy structure; at least one second connection electrode having one portion formed on the second conductive semiconductor layer and the other portion vertically overlapping the dummy structure; and a protective layer disposed on a side surface of the light emitting structure and a side surface of the dummy structure. The protective layer comprises: a first protective layer disposed on an outer surface of the light emitting structure, a first side surface of the dummy structure facing the outer surface of the light emitting structure, and a bottom surface formed between the outer surface of the light emitting structure and the first side surface of the dummy structure; and a second side surface corresponding to the first side surface of the dummy structure, wherein the protective layer may comprise a second protective layer formed on the second side surface of the dummy structure. According to the present invention, the dummy structure is disposed along the circumference of the light emitting structure, and thus, a size of the dummy structure can be maximized, thereby significantly improving an ability of releasing static electricity. 실시예에 따른 발광소자는 제1도전형 반도체층, 발광층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 둘레를 따라 배치되며, 비발광층 및 제2더미층을 포함하는 더미 구조물; 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1전극; 상기 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극; 상기 제1전극으로부터 연장되며 상기 더미 구조물과 수직으로 오버랩되는 제1연결 전극; 일부는 상기 제2도전형 반도체층 상에 형성되고 다른 일부는 상기 더미 구조물과 수직으로 오버랩되는 적어도 하나 이상의 제2연결 전극; 및 상기 발광 구조물의 측면과 상기 더미 구조물의 측면 상에 배치되는 보호층을 포함하고, 상기 보호층은 상기 발광 구조물의 외측면, 상기 발광 구조물의 외측면에 대향하는 상기 더미 구조물의 제1측면, 상기 발광 구조물의 외측면과 상기 더미 구조물의 제1측면 사이의 바닥면에 형성되는 제1보호층; 및 상기 더미 구조물의 제1측면에 대응되는 제1측면을 포함하고, 상기 보호층은 상기 더미 구조물의 제2측면에 형성되는 제2보호층을 포함할 수 있다.