WAFER PROCESSING METHOD

An object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of dividing a wafer in a short time while suppressing the occurrence of distortion. The present invention relates to a wafer processing method for dividing a wafer (11) along a plurality of division schedule lines (13) set on the wafer. The method includes a disposing step of disposing a wafer in which the modified layer (17) which becomes a starting point of division in a position corresponding to the division schedule line in the wafer inside and has one side (11a) attached to a tape (21), to a heating table (12) via the tape, and a division step of cooling the other exposed side (11b) of the water after the wafer placed on a heating table is heated by the heating table using a cooling unit (22), and dividing the wafer along the division schedule line from the modified layer as a starting point. In the division step, the wafer is broken by thermal shock generated by a temperature difference between heating and cooling. 본 발명은, 이지러짐의 발생을 억제하면서 웨이퍼를 짧은 시간으로 분할할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 웨이퍼(11)에 설정된 복수의 분할 예정 라인(13)을 따라 웨이퍼를 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 테이프(21)가 한쪽 면(11a)에 부착되고 또한 웨이퍼 내부의 분할 예정 라인에 대응하는 위치에 분할의 기점이 되는 개질층(17)이 형성된 웨이퍼를, 테이프를 통해 가열 테이블(12)에 배치하는 배치 단계와, 가열 테이블에 배치된 웨이퍼가 가열 테이블에 의해 가열된 후에, 웨이퍼의 노출되는 다른 쪽 면(11b) 전체를 냉각 유닛(22)으로 냉각시키고, 개질층을 기점으로 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 분할하는 분할 단계를 포함하며, 분할 단계에서는, 가열과 냉각 사이의 온도차에 따라 발생하는 열충격에 의해 웨이퍼를 파단한다.