웨이퍼-레벨 액티브 다이 및 외부 다이 마운트를 갖는 반도체 패키지

실리콘 웨이퍼 상에 액티브 다이들 및 외부 다이 마운트들을 갖는 반도체 패키지들 및 패키지 어셈블리들, 및 이러한 반도체 패키지들 및 패키지 어셈블리들을 제조하는 방법들이 설명된다. 예에서, 반도체 패키지 어셈블리는 제1 솔더 범프에 의해 실리콘 웨이퍼에 부착되는 액티브 다이를 갖는 반도체 패키지를 포함한다. 액티브 다이로부터 외향으로 측방향으로 실리콘 웨이퍼 상에 제2 솔더 범프가 있어 외부 다이에 대한 마운트를 제공한다. 에폭시 층은 액티브 다이를 둘러싸고 실리콘 웨이퍼를 덮을 수 있다. 제2 솔더 범프 위의 에폭시 층을 통해 홀이 연장되어 이러한 홀을 통해 제2 솔더 범프를 노출시킬 수 있다. 따라서, 외부 메모리 다이는 홀을 통해 실리콘 웨이퍼 상의 제2 솔더 범프에 직접 접속될 수 있다. Semiconductor packages and package assemblies having active dies and external die mounts on a silicon wafer, and methods of fabricating such semiconductor packages and package assemblies, are described. In an example, a semiconductor package assembly includes a semiconductor package having an active die attached to a silicon wafer by a first solder bump. A second solder bump is on the silicon wafer laterally outward from the active die to provide a mount for an external die. An epoxy layer may surround the active die and cover the silicon wafer. A hole may extend through the epoxy layer above the second solder bump to expose the second solder bump through the hole. Accordingly, an external memory die can be connected directly to the second solder bump on the silicon wafer through the hole.