A SEMICONDUCTOR DEVICE

The present invention provides a semiconductor device. The semiconductor device includes a substrate including a central region and a peripheral region surrounding the central region, a semiconductor integrated circuit formed in the central region, and a three-dimensional crack detection structure extended in a first direction and formed in the peripheral region to surround the central region. The three-dimensional crack detection structure includes a first pattern and a second pattern extended in the first direction and spaced apart from each other, and a third pattern connecting the first pattern and the second pattern and parallel to the upper surface of the substrate. The third pattern includes a first part crossing the first direction and extended in a second direction parallel to the upper surface of the substrate, and a second part crossing the first direction and the second direction and extended in a third direction parallel to the upper surface of the substrate. It is possible to detect the penetration of cracks. 본 발명은 반도체 장치를 제공한다. 상기 반도체 장치는 중앙 영역과 중앙 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 기판, 중앙 영역에 형성되는 반도체 집적 회로, 및 제1 방향으로 확장되고, 중앙 영역을 둘러싸도록 주변 영역에 형성되는 3차원 크랙 검출 구조물(three-dimensional crack detection structure)을 포함하고, 3차원 크랙 검출 구조물은 제1 방향으로 연장되고, 서로 이격되는 제1 패턴 및 제2 패턴과, 제1 패턴 및 제2 패턴을 연결하고 기판의 상면과 나란한 제3 패턴을 포함하고, 제3 패턴은 제1 방향과 교차하고, 기판의 상면과 나란한 제2 방향으로 연장되는 제1 부분과, 제1 방향 및 제2 방향과 교차하고, 기판의 상면과 나란한 제3 방향으로 연장되는 제2 부분을 포함한다.