기판들을 습윤화하기 위한 시스템들 및 방법들

반도체 기판을 습윤화하는 방법들은 반도체 기판을 하우징하는 프로세싱 챔버에서, 제어된 분위기를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 반도체 기판은 비아들을 포함할 수 있는 복수의 피처들을 정의할 수 있다. 방법들은 프로세싱 챔버 내로 습윤제를 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 챔버 압력은 약 100 kPa 미만으로 유지될 수 있다. 방법들은 또한, 기판에 정의된 복수의 피처들을 습윤화하는 단계를 포함할 수 있다. Methods of wetting a semiconductor substrate may include forming a controlled atmosphere in a processing chamber housing the semiconductor substrate. The semiconductor substrate may define a plurality of features, which may include vias. The methods may include flowing a wetting agent into the processing chamber. A chamber pressure may be maintained below about 100 kPa. The methods may also include wetting the plurality of features defined in the substrate.