Integrated circuit device and method of manufacturing the same

An integrated circuit device includes: a device isolation layer defining an active region; a gate trench extending in a first direction across the active region and the device isolation layer; a gate dielectric layer covering the inner wall of the gate trench; and a conductive line filling a portion of the gate trench on the gate dielectric layer. The active region may include a fin body part positioned on the lower side of the conductive line, and a thinner fin part protruding from the fin body part toward the conductive line and having a width smaller than the fin body part in the first direction. It is possible to improve cell drive current characteristics. 집적회로 소자는 활성 영역을 정의하는 소자분리막과, 상기 활성 영역 및 상기 소자분리막을 가로질러 제1 방향으로 연장되는 게이트 트렌치와, 상기 게이트 트렌치의 내벽을 덮는 게이트 유전막과, 상기 게이트 유전막 위에서 상기 게이트 트렌치의 일부를 채우는 도전 라인을 포함하고, 상기 활성 영역은 상기 도전 라인의 하부에 위치하는 핀 바디부와, 상기 핀 바디부로부터 상기 도전 라인을 향해 돌출되고 상기 제1 방향에서 상기 핀 바디부보다 더 작은 폭을 가지는 씨너 핀부를 포함한다.