NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE SAME

Disclosed are a nonvolatile memory device and an operating method thereof. The nonvolatile memory device comprises: a memory cell array which includes a plurality of memory cells; a page buffer which conducts a plurality of lead operations performing at least one sensing operation for memory cells selected from the plurality of memory cells through a plurality of bit lines, and stores results of a plurality of read operations; a multi-sensing manager which determines the number of sensing operations for the plurality of read operations, and controls the page buffer in order to consecutively conduct the plurality of read operations; and a data identifier which identifies data status of one bit for the selected memory cells based on the results of the plurality of read operations. In addition, the multi-sensing manager determines the number of sensing operations corresponding to at least one read operation among the plurality of read operations to be different from the number of the sensing operations corresponding to the remaining read operations. Therefore, the nonvolatile memory device and the operating method thereof can set the number of sensing operations corresponding to the plurality of read operations different from one another. 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법이 개시된다. 본 개시에 따른 비휘발성 메모리 장치는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 복수의 비트 라인들을 통해서 상기 복수의 메모리 셀들 중에서 선택된 메모리 셀들에 대한 적어도 한 번의 센싱 동작을 각각 수행하는 복수의 리드 동작들을 수행하고, 상기 복수의 리드 동작들의 결과를 저장하는 페이지 버퍼, 상기 복수의 리드 동작들 각각에 대한 센싱 동작 횟수를 결정하고, 상기 복수의 리드 동작들이 순차적으로 수행되도록 상기 페이지 버퍼를 제어하는 멀티 센싱 매니저 및 상기 복수의 리드 동작들의 결과들에 기초하여 상기 선택된 메모리 셀들에 대한 한 비트의 데이터 상태를 식별하는 데이터 식별기를 포함하고, 상기 멀티 센싱 매니저는 상기 복수의 리드 동작들의 적어도 하나의 리드 동작에 대응하는 센싱 동작 횟수를 나머지 리드 동작들에 대응하는 센싱 동작 횟수와 상이하게 결정하는 것을 특징으로 할 수 있다.