Method of fabricating a semiconductor device

The present invention relates to a method for manufacturing semiconductor device, capable of simplifying a process. According to one embodiment of the present invention, the method for manufacturing a semiconductor device comprises: a step of forming a layer on a substrate; a step of forming a sacrificial layer and an etching pattern on a lower layer wherein the sacrificial layer includes a protrusion part protruding from the upper surface of the sacrificial layer and the etching pattern is disposed on the protrusion part; a step of forming a first spacer layer conformally covering the sacrificial layer and the etching pattern; a step of etching the sacrificial layer and the first spacer layer to form a sacrificial pattern and form a first spacer on the upper surface of the sacrificial pattern; a step of forming a second spacer layer conformally covering the sacrificial pattern and the first spacer; a step of etching the second spacer layer and the first spacer to expose the upper surface of the sacrificial pattern so as to form a second spacer on a sidewall of the sacrificial pattern; a step of removing the sacrificial pattern; and a step of using the second spacer as an etching mask and etching the lower layer to form a pattern. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 기판 상에 막을 형성하는 것, 상기 하부막 상에 희생막 및 식각 패턴을 형성하는 것, 상기 희생막은 상기 희생막의 상면으로부터 돌출된 돌출부를 포함하고, 상기 식각 패턴은 상기 돌출부 상에 배치되고, 상기 희생막과 상기 식각 패턴을 컨포말하게 덮는 제 1 스페이서막을 형성하는 것, 상기 희생막 및 상기 제 1 스페이서막을 식각하여, 희생 패턴과 상기 희생 패턴의 상면 상에 제 1 스페이서를 형성하는 것, 상기 희생 패턴 및 상기 제 1 스페이서를 컨포말하게 덮는 제 2 스페이서막을 형성하는 것, 상기 희생 패턴의 상기 상면이 노출되도록 상기 제 2 스페이서막 및 상기 제 1 스페이서를 식각하여, 상기 희생 패턴의 측벽 상에 제 2 스페이서를 형성하는 것, 상기 희생 패턴을 제거하는 것 및 상기 제 2 스페이서를 식각 마스크로 사용하여 상기 하부막을 식각하여 패턴을 형성하는 것을 포함할 수 있다.