Etching compositions and etching method using the same

The present invention relates to an etching composition, an etching method, and a production method of a semiconductor device using the same and, more specifically, to an etching composition comprising a compound with a high selection ratio capable of selectively removing a nitride film while minimizing an etching rate of an oxide layer in case of wet-etching in a semiconductor production process, and to a production method of a semiconductor device comprising an etching process using the etching composition. The etching composition comprises: phosphoric acid; and a compound represented by chemical formula 1. 본 발명은 식각 조성물, 식각 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정에서 습식 식각하는 경우, 산화막의 식각율을 최소화하면서 질화막을 선택적으로 제거할 수 있는 고선택비의 화합물을 포함하는 식각 조성물 및 이 식각 조성물을 이용한 식각 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.