PHOTORESIST STRIPPER
The present invention relates to an improved stripper solution which typically has a freezing point below about 0°C, has high load capacity, and is for removing a photoresist from a substrate. The stripper solution comprises dimethyl sulfoxide, quaternary ammonium hydroxide, and two or more carbon a...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | The present invention relates to an improved stripper solution which typically has a freezing point below about 0°C, has high load capacity, and is for removing a photoresist from a substrate. The stripper solution comprises dimethyl sulfoxide, quaternary ammonium hydroxide, and two or more carbon atoms, one or more amino substituents, and one or more hydroxyl substituents, wherein the amino and hydroxyl substituents include alkanolamines attached to two different carbon atoms. Some formulations further comprise a secondary solvent. The formulation does not include tetramethylammonium hydroxide. In addition, further provided is a method of using the stripping solution.
통상적으로 어는 점이 약 0℃ 미만이고 높은 부하 용량을 갖는, 기판으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 개선된 스트리퍼 용액이 제공된다. 상기 스트리퍼 용액은 디메틸 설폭시드, 4급 수산화암모늄, 및 2개 이상의 탄소 원자, 1개 이상의 아미노 치환기 및 1개 이상의 히드록실 치환기를 가지며 상기 아미노 및 히드록실 치환기가 2개의 상이한 탄소 원자에 부착된 알칸올아민을 포함한다. 일부 제제는 2차 용매를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제제는 테트라메틸암모늄 히드록시드를 포함하지 않는다. 상기 스트리핑 용액의 사용 방법이 추가로 제공된다. |
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