DUAL GATE THIN FILM TRANSISTOR AND SELF LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

A dual gate thin film transistor includes a B-gate electrode, a T-gate electrode, an active layer, a B-gate insulating layer, and a T-gate insulating layer. The thickness of the B-gate insulating layer and the thickness of the T-gate insulating layer are different from each other. The dual gate thin film transistor may operate in a first mode in which a signal is applied to the B-gate electrode and in a second mode in which a signal is applied to the T-gate electrode. The first mode and the second mode may be selectively operated. The self-light emitting display includes the dual gate thin film transistor. The self-light emitting display may be operated in the first mode when expressing a low gradation, and may be operated in the second mode when expressing a high gradation. 듀얼 게이트 박막 트랜지스터는, B-게이트 전극, T-게이트 전극, 활성층, B-게이트 절연층, T-게이트 절연층을 포함한다. 상기 B-게이트 절연층의 두께와 상기 T-게이트 절연층의 두께가 서로 상이하다. 상기 듀얼 게이트 박막 트랜지스터는, 상기 B-게이트 전극에 신호가 인가되는 제1 모드와 상기 T-게이트 전극에 신호가 인가되는 제2 모드로 동작할 수 있으며, 상기 제1 모드와 상기 제2 모드는 선택적으로 동작될 수 있다. 자체 발광 표시장치는, 상기 듀얼 게이트 박막 트랜지스터를 포함한다. 상기 자체 발광 표시장치는, 저계조 표현 시 상기 제1 모드로 동작될 수 있고, 고계조 표현 시 상기 제2 모드로 동작될 수 있다.