SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD MANUFACTURING THE SAME

According to an embodiment of the present invention, a semiconductor device comprises: an n- type layer disposed on a first surface of a substrate; an n+ type region disposed on the n- type layer; a trench disposed on the n- type layer; a p type region disposed adjacent to a side surface of the trench and extending to a part under a lower surface of the trench; an auxiliary n+ type region disposed under the lower surface of the trench and disposed in the p type region; an auxiliary electrode disposed at the lower surface of the trench; a gate electrode separated from the auxiliary electrode and disposed on the lower surface of the trench; a source electrode disposed on the n+ type region; and a drain electrode disposed at a second surface of the substrate. The auxiliary electrode is in contact with the auxiliary n+ type region, and the source electrode is in contact with the n+ type region. Thus, the current density of the semiconductor device is increased. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 기판의 제1면에 위치하는 n- 형층, 상기 n- 형층 위에 위치하는 n+ 형 영역, 상기 n- 형층에 위치하는 트렌치, 상기 트렌치의 측면에 인접하게 위치하고, 상기 트렌치의 하부면 아래의 일부까지 연장되는 p형 영역, 상기 트렌치의 하부면 아래에 위치하고, 상기 p형 영역 내에 위치하는 보조 n+ 형 영역, 상기 트렌치의 하부면에 위치하는 보조 전극, 상기 보조 전극과 이격되고, 상기 트렌치의 하부면에 위치하는 게이트 전극, 상기 n+ 형 영역 위에 위치하는 소스 전극, 그리고 상기 기판의 제2면에 위치하는 드레인 전극을 포함하고, 상기 보조 전극은 상기 보조 n+ 형 영역과 접촉하고, 상기 소스 전극은 상기 n+ 형 영역에 접촉한다.