광검출기

본 발명의 센서는 입사광을 전하로 변환하고 애노드 및 제1 기판의 웰 영역에 있는 캐소드를 포함하는 애벌란치 포토다이오드를 포함하는 적어도 하나의 제1 픽셀을 포함하는 상기 제1 기판과, 상기 제1 픽셀에 인접한 적어도 하나의 제2 픽셀로부터 상기 웰 영역을 분리하는 분리 영역과, 상기 분리 영역과 상기 웰 영역 사이에, 상기 애노드에 전기적으로 접속되어 있는 홀 축적 영역을 포함한다. A sensor includes a first substrate including at least a first pixel. The first pixel includes an avalanche photodiode to convert incident light into electric charge and includes an anode and a cathode. The cathode is in a well region of the first substrate. The first pixel includes an isolation region that isolates the well region from at least a second pixel that is adjacent to the first pixel. The first pixel includes a hole accumulation region between the isolation region and the well region. The hole accumulation region is electrically connected to the anode.