FIN DIODE STRUCTURE AND METHODS THEREOF

A method for forming a fin lower diode and a structure thereof includes a step of providing a substrate having a plurality of fins extended from the substrate. The plurality of fins separately include a substrate portion and an epitaxial layer portion on the substrate portion. A first dopant layer is formed on a sidewall of a first region of each substrate portion of the plurality of fins. After the first dopant layer is formed, a first annealing process is performed to form a first diode region in the first region of the substrate portion. A second dopant layer is formed on a sidewall of a second region of the substrate portion of each of the plurality of fins. After the second dopant layer is formed, a second annealing process is performed to form a second diode region in the second region of the substrate portion of each of the plurality of fins. 핀 하단 다이오드를 형성하는 방법 및 그 구조물은 기판으로부터 연장되는 복수의 핀들을 갖는 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 복수의 핀들 각각은 기판 부분 및 기판 부분 위의 에피택셜 층 부분을 포함한다. 복수의 핀들 각각의 기판 부분의 제 1 영역의 측벽 상에 제 1 도펀트 층이 형성된다. 제 1 도펀트 층을 형성한 후에, 기판 부분의 제 1 영역 내에 제 1 다이오드 영역을 형성하기 위해 제 1 어닐링 공정이 수행된다. 복수의 핀들 각각의 기판 부분의 제 2 영역의 측벽 상에 제 2 도펀트 층이 형성된다. 제 2 도펀트 층을 형성한 후에, 복수의 핀들 각각의 기판 부분의 제 2 영역 내에 제 2 다이오드 영역을 형성하기 위해 제 2 어닐링 공정이 수행된다.