레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법
평탄성이 우수함과 함께 용매 내성 및 에칭 내성이 우수한 레지스트 하층막을 형성할 수 있는 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법의 제공을 목적으로 한다. 본 발명은 방향환에 축합된 옥사진환을 갖는 제1 화합물과, 용매를 함유하는 레지스트 하층막 형성용 조성물이다. 상기 제1 화합물은, 하기 식 (1)로 표시되는 부분 구조를 갖는 것이 바람직하다. 하기 식 (1) 중, R내지 R는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기이다. Ar은, 탄...
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| creator | TAKANASHI KAZUNORI NAKATSU HIROKI MIURA ICHIHIRO SAKAI KAZUNORI |
| description | 평탄성이 우수함과 함께 용매 내성 및 에칭 내성이 우수한 레지스트 하층막을 형성할 수 있는 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법의 제공을 목적으로 한다. 본 발명은 방향환에 축합된 옥사진환을 갖는 제1 화합물과, 용매를 함유하는 레지스트 하층막 형성용 조성물이다. 상기 제1 화합물은, 하기 식 (1)로 표시되는 부분 구조를 갖는 것이 바람직하다. 하기 식 (1) 중, R내지 R는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기이다. Ar은, 탄소수 6 내지 20의 아렌으로부터 (n+3)개 또는 (n+2)개의 방향환 상의 수소 원자를 제외한 기이다. R은, 히드록시기, 할로겐 원자, 니트로기 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기이다. n은, 0 내지 9의 정수이다.
A composition for resist underlayer film formation contains: a first compound including at least one oxazine structure fused to an aromatic ring; and a solvent. The first compound preferably includes a partial structure represented by formula (1). In formula (1), R2 to R5 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; Ar1 represents a group obtained by removing (n+3) or (n+2) hydrogen atoms on the aromatic ring from an arene having 6 to 20 carbon atoms; R6 represents a hydroxy group, a halogen atom, a nitro group or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; and n is an integer of 0 to 9. |
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A composition for resist underlayer film formation contains: a first compound including at least one oxazine structure fused to an aromatic ring; and a solvent. The first compound preferably includes a partial structure represented by formula (1). In formula (1), R2 to R5 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; Ar1 represents a group obtained by removing (n+3) or (n+2) hydrogen atoms on the aromatic ring from an arene having 6 to 20 carbon atoms; R6 represents a hydroxy group, a halogen atom, a nitro group or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; and n is an integer of 0 to 9.</description><language>kor</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CHEMISTRY ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTROGRAPHY ; HETEROCYCLIC COMPOUNDS ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; METALLURGY ; ORGANIC CHEMISTRY ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS</subject><creationdate>2019</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20190515&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20190051972A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20190515&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20190051972A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>TAKANASHI KAZUNORI</creatorcontrib><creatorcontrib>NAKATSU HIROKI</creatorcontrib><creatorcontrib>MIURA ICHIHIRO</creatorcontrib><creatorcontrib>SAKAI KAZUNORI</creatorcontrib><title>레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법</title><description>평탄성이 우수함과 함께 용매 내성 및 에칭 내성이 우수한 레지스트 하층막을 형성할 수 있는 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법의 제공을 목적으로 한다. 본 발명은 방향환에 축합된 옥사진환을 갖는 제1 화합물과, 용매를 함유하는 레지스트 하층막 형성용 조성물이다. 상기 제1 화합물은, 하기 식 (1)로 표시되는 부분 구조를 갖는 것이 바람직하다. 하기 식 (1) 중, R내지 R는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기이다. Ar은, 탄소수 6 내지 20의 아렌으로부터 (n+3)개 또는 (n+2)개의 방향환 상의 수소 원자를 제외한 기이다. R은, 히드록시기, 할로겐 원자, 니트로기 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기이다. n은, 0 내지 9의 정수이다.
A composition for resist underlayer film formation contains: a first compound including at least one oxazine structure fused to an aromatic ring; and a solvent. The first compound preferably includes a partial structure represented by formula (1). In formula (1), R2 to R5 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; Ar1 represents a group obtained by removing (n+3) or (n+2) hydrogen atoms on the aromatic ring from an arene having 6 to 20 carbon atoms; R6 represents a hydroxy group, a halogen atom, a nitro group or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; and n is an integer of 0 to 9.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HETEROCYCLIC COMPOUNDS</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>ORGANIC CHEMISTRY</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2019</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZOh6vaDjzfKGN11L3nbtUHg7dcabHVtfL-9UeDtj6puWjW9mrVR4s3ADkPV6zR4dBRxqX2_oV3i1fcebuTOg2oAiK19vmgoSfL1szavNCxTe9qx427Lhdffc1xPmKLzaseFtzwSQ8jcL5gCNhyrnYWBNS8wpTuWF0twMym6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx3kFGBoaWBgamhpbmRo7GxKkCAJPNdUE</recordid><startdate>20190515</startdate><enddate>20190515</enddate><creator>TAKANASHI KAZUNORI</creator><creator>NAKATSU HIROKI</creator><creator>MIURA ICHIHIRO</creator><creator>SAKAI KAZUNORI</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20190515</creationdate><title>레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법</title><author>TAKANASHI KAZUNORI ; NAKATSU HIROKI ; MIURA ICHIHIRO ; SAKAI KAZUNORI</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20190051972A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2019</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HETEROCYCLIC COMPOUNDS</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>ORGANIC CHEMISTRY</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>TAKANASHI KAZUNORI</creatorcontrib><creatorcontrib>NAKATSU HIROKI</creatorcontrib><creatorcontrib>MIURA ICHIHIRO</creatorcontrib><creatorcontrib>SAKAI KAZUNORI</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>TAKANASHI KAZUNORI</au><au>NAKATSU HIROKI</au><au>MIURA ICHIHIRO</au><au>SAKAI KAZUNORI</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법</title><date>2019-05-15</date><risdate>2019</risdate><abstract>평탄성이 우수함과 함께 용매 내성 및 에칭 내성이 우수한 레지스트 하층막을 형성할 수 있는 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법의 제공을 목적으로 한다. 본 발명은 방향환에 축합된 옥사진환을 갖는 제1 화합물과, 용매를 함유하는 레지스트 하층막 형성용 조성물이다. 상기 제1 화합물은, 하기 식 (1)로 표시되는 부분 구조를 갖는 것이 바람직하다. 하기 식 (1) 중, R내지 R는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기이다. Ar은, 탄소수 6 내지 20의 아렌으로부터 (n+3)개 또는 (n+2)개의 방향환 상의 수소 원자를 제외한 기이다. R은, 히드록시기, 할로겐 원자, 니트로기 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기이다. n은, 0 내지 9의 정수이다.
A composition for resist underlayer film formation contains: a first compound including at least one oxazine structure fused to an aromatic ring; and a solvent. The first compound preferably includes a partial structure represented by formula (1). In formula (1), R2 to R5 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; Ar1 represents a group obtained by removing (n+3) or (n+2) hydrogen atoms on the aromatic ring from an arene having 6 to 20 carbon atoms; R6 represents a hydroxy group, a halogen atom, a nitro group or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; and n is an integer of 0 to 9.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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| title | 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법 |
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