레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법

평탄성이 우수함과 함께 용매 내성 및 에칭 내성이 우수한 레지스트 하층막을 형성할 수 있는 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법의 제공을 목적으로 한다. 본 발명은 방향환에 축합된 옥사진환을 갖는 제1 화합물과, 용매를 함유하는 레지스트 하층막 형성용 조성물이다. 상기 제1 화합물은, 하기 식 (1)로 표시되는 부분 구조를 갖는 것이 바람직하다. 하기 식 (1) 중, R내지 R는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기이다. Ar은, 탄소수 6 내지 20의 아렌으로부터 (n+3)개 또는 (n+2)개의 방향환 상의 수소 원자를 제외한 기이다. R은, 히드록시기, 할로겐 원자, 니트로기 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기이다. n은, 0 내지 9의 정수이다. A composition for resist underlayer film formation contains: a first compound including at least one oxazine structure fused to an aromatic ring; and a solvent. The first compound preferably includes a partial structure represented by formula (1). In formula (1), R2 to R5 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; Ar1 represents a group obtained by removing (n+3) or (n+2) hydrogen atoms on the aromatic ring from an arene having 6 to 20 carbon atoms; R6 represents a hydroxy group, a halogen atom, a nitro group or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; and n is an integer of 0 to 9.