FILM-FORMING APPARATUS AND FILM-FORMING METHOD

The present invention provides high in-plane uniformity in film thickness when stacking a reaction product on the surface of a substrate by supplying process gas that reacts with each other onto a wafer. In a film forming device that supplies a gas toward a wafer (W) to form a film, a DCS gas and an NH_3 gas are alternately supplied onto the revolving wafer (W) to perform a film forming process. Further, in a film thickness adjusting process, a central-side valve (V441) and a peripheral-side valve (V442) are operated based on the rotational angle of a rotary table (2) so that the supply and cutoff of the DCS gas discharged from a central-side gas discharge port (411) and a peripheral-side gas discharge port (412) in a gas supply / exhaust unit (4) is adjusted. Therefore, raw material gas can be limitedly attached onto portions (200, 201) having a relatively thin film thickness in a film of the wafer (W), which is formed by the film forming process. It is possible to compensate for the film thickness of the portions (200, 201) having a relatively thin film thickness of the wafer (W) in the film forming process. 본 발명은, 웨이퍼에 서로 반응하는 처리 가스를 차례로 공급해서 기판의 표면에 반응 생성물을 적층하는 데 있어서, 막 두께의 면내 균일성을 양호하게 하는 것이다. 웨이퍼(W)에 가스를 공급해서 성막하는 성막 장치에 있어서, 공전하는 웨이퍼(W)에 DCS 가스와, NH가스를 교대로 공급해서 성막 처리를 행하고 있다. 또한, 막 두께 조정 처리에 있어서는, 회전 테이블(2)의 회전 각도에 기초하여, 중심측 밸브(V441), 주연측 밸브(V442)를 조작하여, 가스 급배기 유닛(4)에서의 중심측 가스 토출구(411) 및 주연측 가스 토출구(412)로부터의 DCS 가스의 토출의 온/오프를 조정하고 있다. 그 때문에 웨이퍼(W)에서의 성막 처리에서 성막된 막의 막 두께가 얇은 부위(200, 201)에 한정적으로 원료 가스를 부착시킬 수 있어, 성막 처리에서 웨이퍼(W)의 막 두께가 얇아진 부위(200, 201)의 막 두께를 보상하도록 성막할 수 있다.