A MEMORY DEVICE FOR STORING AND OUTPUTTING AN ADDRESS ACCRODING TO AN INTERNAL COMMAND AND OPERATING METHOD THEREOF

The present disclosure relates to a memory device, which includes first and second bank groups each having a plurality of banks. The memory device of the present invention comprises: an internal command generation unit for generating first and second internal commands to output the same to a first target bank on the basis of a first command received for controlling a memory operation of the first target bank included in a first bank group from a memory controller; and an address input/output circuit for receiving a first address corresponding to the first command from the memory controller, and storing the first address by selecting a storage path of the first address based on whether a bubble section exists in a data burst operation section corresponding to the first command in order to control an output of the first address corresponding to an output timing of each internal command. According to the present invention, a memory operation can be efficiently performed. 본 개시의 기술적 사상에 따른 메모리 장치는, 복수의 뱅크들을 각각 구비하는 제1 뱅크 그룹 및 제2 뱅크 그룹을 포함하고, 상기 메모리 장치는, 메모리 컨트롤러로부터 상기 제1 뱅크 그룹에 포함된 제1 타겟 뱅크의 메모리 동작에 대한 제어를 위해 수신된 제1 커맨드를 기반으로 제1 내부 커맨드 및 제2 내부 커맨드를 생성하여 상기 제1 타겟 뱅크로 출력하는 내부 커맨드 생성부 및 상기 제1 커맨드에 대응하는 제1 어드레스를 상기 메모리 컨트롤러로부터 수신하고, 상기 내부 커맨드들 각각의 출력 타이밍에 부합하는 상기 제1 어드레스의 출력 제어를 위해, 상기 제1 커맨드에 대응하는 데이터 버스트 동작 구간 내에 버블 구간이 존재하는지 여부를 기반으로 상기 제1 어드레스의 저장 경로를 선택하여 상기 제1 어드레스를 저장하는 어드레스 입출력 회로를 포함한다.