ELEMENT SUBMOUNT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

The present invention provides an element submount and a manufacturing method thereof. The element submount includes a substrate, a first conductive heat-dissipating layer, a second conductive heat-dissipating layer, a first heat-dissipating layer and an element bonding layer. The substrate has opposite first and second surfaces. The first conductive heat-dissipating layer is formed on the first surface. The second conductive heat-dissipating layer is formed on the first surface and separated from the first conductive heat-dissipating layer. The first heat-dissipating layer is formed on the second surface. The element bonding layer is formed on the second conductive heat-dissipating layer. By electroplating and processing techniques, the edge of one or two sides of the element bonding layer exceeds an edge of the second conductive heat-dissipating layer and partially covers a side of the second conductive heat-dissipating layer. The present invention prevents voids from being formed between the bonding layer and elements during element bonding, since voids degrade heat dissipation. 본 개시는 소자 서브마운트 (element submount) 및 이를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 소자 서브마운트는 기판, 제1 전도성 열-방산 층 (conductive heat-dissipating layer), 제2 전도성 열-방산 층, 제1 열-방산 층 및 소자 결합 층 (element bonding layer)을 포함한다. 상기 기판은 대향하는 제1 및 제2 표면을 갖는다. 제1 전도성 열-방산 층은 제1 표면 상에 형성된다. 제2 전도성 열-방산 층은 제1 표면 상에 형성되고, 제1 전도성 열-방산 층과 분리된다. 제1 열-방산 층은 제2 표면 상에 형성된다. 소자 결합 층은 제2 전도성 열-방산 층 상에 형성된다. 전기도금 및 가공 기술에 의해, 소자 결합 층의 1 또는 2개의 측면의 에지 (edge)는 제2 전도성 열-방산 층의 에지를 넘어서고, 부분적으로 제2 전도성 열-방산 층의 측면을 덮는다.