Apparatus and Method for treating substrate

An embodiment of the present invention provides a substrate processing apparatus and a method. The substrate processing apparatus includes: a chamber having a processing space where a substrate is processed therein; a substrate support unit supporting the substrate in the processing space; a gas supply unit supplying gas to the processing space; and a plasma source generating plasma from the gas in the processing space, wherein the gas supply unit includes: a shower head having a discharge hole, through which the gas is discharged, on the bottom; and a film-shaped pad detachably attached to the bottom of the head and having a penetration hole provided to be aligned with the discharge hole. 본 발명의 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간이 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 처리 공간 내에서 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 가스 공급 유닛은 저면에 가스가 토출되는 토출홀이 형성되는 샤워 헤드 및 상기 샤워 헤드의 저면에 탈착 가능하게 부착되며, 상기 토출홀과 정렬되도록 제공된 관통홀이 형성된 필름 형상의 패드를 포함한다.