접합용 기판의 표면결함의 평가방법

본 발명은, 경면가공된 실리콘 단결정 기판을 준비하는 공정과, 경면가공된 실리콘 단결정 기판의 표면결함을 검사하는 공정과, 실리콘 단결정 기판의 결함 검사를 행한 표면에 다결정 실리콘층을 퇴적하는 공정과, 다결정 실리콘층을 퇴적한 실리콘 단결정 기판에 경면면취를 행하는 공정과, 다결정 실리콘층의 표면을 연마하는 공정과, 연마된 다결정 실리콘층의 표면결함을 검사하는 공정과, 실리콘 단결정 기판의 표면결함의 검사공정과 다결정 실리콘층의 표면결함의 검사공정에서 검출된 결함의 좌표를 비교하고, 동일위치에 있는 결함의 유무로, 다결정 실리콘층을 갖는 실리콘 단결정 기판의 접합용 기판으로서의 양부판정을 행하는 공정을 갖는 접합용 기판의 표면결함의 평가방법이다. 이에 따라, 접합용 기판의 제조수율의 저하를 합리적으로 회피하고, 접합 후의 보이드결함 발생률을 저감할 수 있는 접합용 기판의 표면결함의 평가방법이 제공된다. The present invention provides a method for evaluating surface defects of a substrate to be bonded, including the steps of: preparing a mirror-polished silicon single crystal substrate; inspecting surface defects on the mirror-polished silicon single crystal substrate; depositing a polycrystalline silicon layer on a surface of the silicon single crystal substrate subjected to the defect inspection; performing mirror edge polishing to the silicon single crystal substrate having the polycrystalline silicon layer deposited thereon; polishing a surface of the polycrystalline silicon layer; inspecting surface defects on the polished polycrystalline silicon layer; and comparing coordinates of defects detected at the step of inspecting the surface defects on the silicon single crystal substrate with counterparts detected at the step of inspecting the surface defects on the polycrystalline silicone layer and determining quality of the silicon single crystal substrate having the polycrystalline silicon layer as a substrate to be bonded on the basis of presence/absence of defects present at the same position. Consequently, there is provided the method for evaluating surface defects of a substrate to be bonded which enables rationally avoiding a reduction in manufacturing yield of the substrates to be bonded and decreasing a void defect occurrence ratio after bonding.