고체 표면의 개질 방법

본 발명은 임의적으로 광 개시제의 존재하에서 200 내지 800nm 파장의 광으로 조사하면서 표면을 표면-개질 화합물과 접촉시키는 단계를 포함하는, 고체 물질의 표면을 개질하는 방법에 관한 것으로서, 이 때 a) 상기 표면은 Si-OH 기, C-OH 또는 에폭시기를 갖고, 상기 표면-개질 화합물은 하이드로실란이거나, b) 상기 표면은 O-Si-H 기를 갖고, 상기 표면-개질 화합물은 실란올 또는 알콜이다. A process for the modification of a surface of a solid material, includ...

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Hauptverfasser:	ZUILHOF JOHANNES TEUNIS, RIJO DA COSTA CARVALHO RUI PEDRO, SCHERES LUC MARIA WILHELMUS, KNOBEN WOUT, MEER VAN DER ADRIAAN MARTIN HUBERT HENRI
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F,C08G APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS CHEMISTRY CINEMATOGRAPHY COMPOSITIONS BASED THEREON ELECTROGRAPHY GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING GLASS HOLOGRAPHY JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS MATERIALS THEREFOR METALLURGY MINERAL OR SLAG WOOL ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS SURFACE TREATMENT OF GLASS THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP WORKING-UP
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 임의적으로 광 개시제의 존재하에서 200 내지 800nm 파장의 광으로 조사하면서 표면을 표면-개질 화합물과 접촉시키는 단계를 포함하는, 고체 물질의 표면을 개질하는 방법에 관한 것으로서, 이 때 a) 상기 표면은 Si-OH 기, C-OH 또는 에폭시기를 갖고, 상기 표면-개질 화합물은 하이드로실란이거나, b) 상기 표면은 O-Si-H 기를 갖고, 상기 표면-개질 화합물은 실란올 또는 알콜이다. A process for the modification of a surface of a solid material, including the step of contacting the surface with a surface-modifying compound under irradiation with light of a wavelength in the range of 200 to 800 nm optionally in the presence of a photoinitiator, wherein a) the surface has Si-OH groups, C-OH groups or epoxy groups and the surface-modifying compound is a hydrosilane, or b) the surface has O-Si-H groups and the surface-modifying compound is a silanol or an alcohol.