SPUTTERING TARGET STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

파티클을 저감한다. 스퍼터링 타깃 구조체는, 스퍼터링 타깃과, 스퍼터링 타깃을 유지하는 백킹 플레이트를 구비한다. 스퍼터링 타깃의 표면 및 백킹 플레이트의 표면 중 적어도 하나의 표면은, 50㎛ 이상 300㎛ 이하의 평균 직경과 5㎛ 이상 30㎛ 이하의 평균 깊이를 갖는 복수의 오목부를 포함하는 영역을 구비한다. 복수의 오목부를 포함하는 영역의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 10㎛ 이상 20㎛ 이하이다. The present invention reduces particles. This sputtering target structur...

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Hauptverfasser: NAKASHIMA NOBUAKI, KOMATSU TOORU
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:파티클을 저감한다. 스퍼터링 타깃 구조체는, 스퍼터링 타깃과, 스퍼터링 타깃을 유지하는 백킹 플레이트를 구비한다. 스퍼터링 타깃의 표면 및 백킹 플레이트의 표면 중 적어도 하나의 표면은, 50㎛ 이상 300㎛ 이하의 평균 직경과 5㎛ 이상 30㎛ 이하의 평균 깊이를 갖는 복수의 오목부를 포함하는 영역을 구비한다. 복수의 오목부를 포함하는 영역의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 10㎛ 이상 20㎛ 이하이다. The present invention reduces particles. This sputtering target structure is provided with a sputtering target, and a backing plate that holds the sputtering target. The surface of the sputtering target and/or the surface of the backing plate is provided with a region including a plurality of recesses having an average diameter of 50-300 μm, and an average depth of 5-30 μm. The arithmetic average roughness Ra of the surface of the region including the recesses is 10-20 μm.