APPARATUS AND METHODS FOR DRY ETCH WITH EDGE SIDE AND BACK PROTECTION

본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판들을 플라즈마 식각하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 프로세싱되는 기판들의 에지들, 측면들 및 후면들에 대한 보호를 갖는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들은 프로세싱되는 기판 보다 크기가 작은 애퍼쳐를 갖는 에지 보호 플레이트를 제공하며, 여기서 에지 보호 플레이트는 플라즈마 챔버 내에서 기판에 매우 근접하게 위치될 수 있다. 에지 보호 플레이트는 기판의 에지, 측면들, 및 후면 상의 반사 코팅들에 대한 보호를 제공하기 위해 기판의 에지들 및/또는 측면들과 오버랩한다. Embodiments of the present invention generally relate to a method and apparatus for plasma etching substrates and, more specifically, to a method and apparatus with protection for edges, sides and backs of the substrates being processed. Embodiments of the present invention provide an edge protection plate with an aperture smaller in size than a substrate being processed, wherein the edge protection plate may be positioned in close proximity to the substrate in a plasma chamber. The edge protection plate overlaps edges and/or sides on the substrate to provide protection to reflective coatings on the edge, sides, and back of the substrate.