DIODE LASER BASED BROAD BAND LIGHT SOURCES FOR WAFER INSPECTION TOOLS

반도체 디바이스의 조사 및 계측을 수행하기 위한 방법들 및 장치가 개시된다. 장치는 서로 다른 파장 범위들을 가지는 입사 빔을 제공하도록 구성가능한 복수의 레이저 다이오드 어레이들을 포함한다. 장치는 또한 샘플을 향해 입사 빔을 지향하기 위한 광학부, 입사 빔에 응답하여 샘플로부터 발샌하는 출력 빔에 기초하여 출력 신호 또는 이미지를 발생시키기 위한 검출기, 및 검출기를 향해 출력 빔을 지향하기 위한 광학부를 포함한다. 장치는 서로 다른 파장 범위들에서 입사 빔을 제공하기 위해 레이저 다이오드 어레이들을 구성하기 위한, 그리고 결함...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: CHIMMALGI ANANT, VORA YOUNUS, BRUNNER RUDOLF
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:반도체 디바이스의 조사 및 계측을 수행하기 위한 방법들 및 장치가 개시된다. 장치는 서로 다른 파장 범위들을 가지는 입사 빔을 제공하도록 구성가능한 복수의 레이저 다이오드 어레이들을 포함한다. 장치는 또한 샘플을 향해 입사 빔을 지향하기 위한 광학부, 입사 빔에 응답하여 샘플로부터 발샌하는 출력 빔에 기초하여 출력 신호 또는 이미지를 발생시키기 위한 검출기, 및 검출기를 향해 출력 빔을 지향하기 위한 광학부를 포함한다. 장치는 서로 다른 파장 범위들에서 입사 빔을 제공하기 위해 레이저 다이오드 어레이들을 구성하기 위한, 그리고 결함들을 검출하거나 출력 신호 또는 이미지에 기초하여 샘플의 피처를 특성화하기 위한 제어기를 더 포함한다. Disclosed are methods and apparatus for performing inspection or metrology of a semiconductor device. The apparatus includes a plurality of laser diode arrays that are configurable to provide an incident beam having different wavelength ranges. At least some of the laser diode arrays form two dimensional stacks that have different wavelength ranges from each other. The apparatus also includes optics for directing the incident beam towards the sample, a detector for generating an output signal or image based on an output beam emanating from the sample in response to the incident beam, and optics for directing the output beam towards the detector. The apparatus further includes a controller for configuring the laser diode arrays to provide the incident beam at the different wavelength ranges and detecting defects or characterizing a feature of the sample based on the output signal or image.