Semiconductor device

Provided is a semiconductor device including an air spacer. According to the present invention, the semiconductor device comprises: a substrate; a bit line structure including a bit line arranged on the substrate, and an insulating capping line covering the top surface of the bit line; a contact structure facing the side surface of the bit line structure with an insulating spacer structure therebetween, and extending on the bit line structure, wherein the insulating spacer structure is made of a first insulating spacer, an air spacer, and a second insulating spacer on the substrate; a cover insulating pattern located on the upper side of the insulating spacer structure with a separating space communicating with the air spacer therebetween, defining a gap part at a part separated from a side wall of the contact structure, and arranged on the side wall of the contact structure; and an air capping pattern filling the gap part. 에어 스페이서를 포함하는 반도체 소자를 제공를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 소자는, 기판, 기판 상에 배치되며 비트 라인 및 비트 라인의 상면을 덮는 절연 캡핑 라인을 포함하는 비트 라인 구조체, 기판 상에서 제1 절연 스페이서, 에어 스페이서, 및 제2 절연 스페이서로 이루어지는 절연 스페이서 구조체를 사이에 두고 비트 라인 구조체의 측면에 대면하며, 비트 라인 구조체의 상으로 연장되는 콘택 구조체, 에어 스페이서와 연통되는 이격 공간을 사이에 두고 절연 스페이서 구조체의 상측에 위치하며 콘택 구조체의 측벽으로부터 이격되는 부분에 갭부를 한정하며 콘택 구조체의 측벽 상에 배치되는 커버 절연 패턴, 및 갭부를 채우는 에어 캡핑 패턴을 포함한다.